Định nghĩa Transistor lưỡng cực có cổng cách điện

Transistor lưỡng cực có cổng cách điện (IGBT) là một thiết bị bán dẫn công suất được điều khiển bằng điện áp,-được điều khiển hoàn toàn bằng hỗn hợp, kết hợp các ưu điểm của MOSFET (Transitor hiệu ứng trường bán dẫn-Oxide{2}}kim loại-) và BJT (Transistor tiếp giáp lưỡng cực).

 

Điểm định nghĩa cốt lõi
Thành phần cấu trúc: Kết hợp các đặc tính điều khiển-điện áp và trở kháng đầu vào cao của MOSFET với độ sụt điện áp dẫn thấp và khả năng mang dòng điện-cao của BJT.

 

Nguyên tắc làm việc: Bằng cách cấp điện áp vào cổng để điều khiển việc hình thành kênh, nó cung cấp dòng điện cơ bản cho bóng bán dẫn PNP, giúp bật-bật hoặc-tắt.

 

Cấu trúc đầu cực: Có ba điện cực - Cổng (G), Bộ thu (C) và Bộ phát (E).

 

Ưu điểm chính
Trở kháng đầu vào cao (tương tự MOSFET, công suất truyền động thấp)

Độ sụt điện áp dẫn thấp (tương tự BJT, tổn hao dẫn thấp)

Thích hợp cho các ứng dụng tần số cao, dòng điện cao và trung bình đến cao{0}}