Định nghĩa Transistor lưỡng cực có cổng cách điện

Transistor lưỡng cực có cổng cách điện (IGBT) là một thiết bị bán dẫn công suất được điều khiển bằng điện áp, được điều khiển hoàn toàn bằng điện áp-kết hợp các ưu điểm của MOSFET (Transistor hiệu ứng trường bán dẫn-Oxide{2}}kim loại-) và BJT (Transistor tiếp giáp lưỡng cực).

 

Điểm định nghĩa cốt lõi
Thành phần cấu trúc: Bao gồm các đặc tính điều khiển-điện áp và trở kháng đầu vào cao của MOSFET kết hợp với độ sụt điện áp dẫn thấp và khả năng mang dòng điện cao của BJT.

Nguyên tắc làm việc: Bằng cách cấp điện áp vào cổng để điều khiển việc hình thành kênh, nó cung cấp dòng điện cơ bản cho bóng bán dẫn PNP, giúp bật-bật hoặc-tắt.

Cấu trúc thiết bị đầu cuối: Nó có ba thiết bị đầu cuối-Cổng (G), Bộ thu (C) và Bộ phát (E).

 

Ưu điểm chính:
Trở kháng đầu vào cao (như MOSFET, công suất truyền động thấp)
Giảm điện áp dẫn thấp (như BJT, tổn thất dẫn thấp)
Thích hợp cho các ứng dụng điện áp cao, dòng điện cao và tần số cao{0}}trung bình