Đặc điểm cơ bản của Transistor lưỡng cực có cổng cách điện (IGBT)

Đặc điểm điện chính

Trở kháng đầu vào cao: Kế thừa các đặc tính của MOSFET, yêu cầu công suất điều khiển thấp và có mạch điều khiển đơn giản.

 

Giảm điện áp dẫn thấp: Sử dụng hiệu ứng điều chế độ dẫn; điện áp bão hòa trạng thái bật- (Vce(sat)) thấp hơn nhiều so với MOSFET có cùng mức điện áp, thường là 1,5~3V.

 

Điện áp cao và khả năng dòng điện lớn: Thích hợp cho các cấp điện áp từ 600V đến 6500V, có dòng điện đạt trên 10A đến 1800A.

 

Tần số chuyển mạch vừa phải: Dải tần hoạt động thường là hàng chục kHz (chẳng hạn như 10–100kHz), cao hơn BJT nhưng thấp hơn MOSFET.

 

Hệ số nhiệt độ dương: Dưới dòng điện định mức, Vce(sat) tăng nhẹ theo nhiệt độ, điều này có lợi cho việc chia sẻ dòng điện khi sử dụng song song.